擴散硅壓力變送器采用進口芯片，經過精心的結構設計，信號處理和組裝，并按照國家標準和企業(yè)標準，進行測試而生產出來的新一代測量元件。AO910系列擴散硅壓力變送器 采用的高精度高穩(wěn)定傳感器，配以ASIS高性能放大電路，經過數(shù)千次疲勞沖擊，高，低溫循環(huán)老化及精密的數(shù)字溫度補償工藝，再經過不銹鋼全封焊(激光焊接)精制而成。

高質量的傳感器，嚴格的校驗工藝，及完善的裝配工藝確保了AO910系列擴散硅壓力變送器的優(yōu)異品質。

系列擴散硅壓力變送器工作原理:利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產生微應變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化(一對變大一對變小)在激勵電壓信號輸出，經過計算機溫度補償、激光調阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產出具有標準輸出信號的壓力變送器。

一般應變式傳感器輸出僅為10mv左右，而擴散硅傳感器滿量程輸出為100mv左右，干擾及噪聲等因素影響相對較小，放大電路成本也相應降低，分辨率大大提高。零壓力附近無死區(qū)。

擴散硅壓阻式壓力傳感器實現(xiàn)了壓力受感，壓力傳遞力一電轉換由同一元件上實現(xiàn)，無中間轉換環(huán)節(jié)，無壓力滯后，無機械位移變形，保證了極小的重復性和遲滯誤差，和良好的線性度，無蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長。

由于采用了激光調阻，計算機補償?shù)认冗M技術和巧妙控制擴散濃度，實現(xiàn)滿量程溫度漂移(靈敏度溫度系數(shù))自補償。克服了半導體晶片本身溫度系數(shù)大的缺陷，使變送器的零位和滿度溫漂達到了較高的水準，拓寬了使用溫區(qū)。

擴散硅壓力傳感器，變送器具有低電流，低電壓，低功耗的特點，屬于本質安全防爆型產品，并已取得了國家安全防爆機構頒發(fā)的防爆證書。

產品由于采用了不銹鋼材質與特殊防護結構，和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護手段，提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力，*適合一般工業(yè)現(xiàn)場測量和控制的需要。

使用對象:液體、氣體或蒸汽

測量范圍

表壓: 0~5KPa~3.5MPa ， 密封表壓:0~7MPa~100MPa

絕壓: 0~20KPa~35MPa ， 負壓:-0.1MPa~2MPa

輸 出:4~20mADC

電 源:12~36VDC

負載特性:4~20mADC二線制

溫度范圍:-40℃~+ 85℃

外殼防護:優(yōu)于IP65

防爆類型:隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6應外配安全柵

綜合精度:精度等級:0.1%、0.2%

穩(wěn) 定 性:優(yōu)于±0.25%FS/3年

溫度影響:

-10℃~+ 60℃范圍內: 變化量小于±0.1%/ 10℃(0.1級)

變化量小于±0.15%/ 10℃(0.2級)

-30℃~ -10℃范圍內和60℃~+ 85℃范圍內: 變化量小于±0.15%/ 10℃(0.1級)

變化量小于±0.20%/ 10℃(0.2級)

振動影響: 在任何方向上振動頻率為20-200Hz時，變化量小于±0.02% BFSL

沖擊影響: 任何方向100G沖擊11ms后，變化量小于±0.02% BFSL

負載影響: 只要輸入變送器的端子電壓高于12V，就無負載影響。

位置影響: 安裝位置不影響零點